采用自对准工艺制备了1.2 kV 4H-SiC平面型和沟槽型MOSFET器件,并在90～490 K的温度范围内对4H-SiC MOSFET器件的静态和动态特性与商......

研究了Fe-C-H2O2工艺对十溴联苯醚(BDE209)降解效果的影响,分别考察了pH、Fe与C质量比、Fe投加量、H2O2投加量及反应时间对去除率......

以钛酸四丁酯为钛源，硝酸银为银源，采用溶胶-凝胶法制备了掺银的纳米Ti02。用X射线衍射和透射电子显微镜对材料进行了表征，以掺银TiO2......